佳能的纳米压印光刻技术挑战EUV霸权

佳能推出了一种名为纳米压印光刻（NIL）的芯片制造技术，其精度可达14纳米，挑战了目前由ASML垄断的极紫外光刻（EUV）技术。NIL技术成本更低、能耗更低，且工艺更简洁，通过“印章”的方式将电路图案转移到硅片上。虽然开发历时20年，但NIL技术已克服了诸如抗蚀剂控制、气泡消除和对准精度等难题，并已交付首个商业系统。未来，NIL技术有望在存储器和逻辑芯片制造中占据一席之地，尤其是在对成本和效率要求较高的应用中。