突破！1.5纳米磷化铌薄膜导电性超铜

斯坦福大学的研究人员发现了一种新型1.5纳米厚的磷化铌(NbP)薄膜，其导电性竟然优于铜。传统金属在纳米尺度下电阻会增加，而这种NbP薄膜的电阻却随着厚度减小而降低。这归功于其表面比内部更导电的特性，属于“拓扑半金属”。该发现有望应用于制造更高效节能的集成电路，但商业化仍面临挑战，例如薄膜厚度公差问题。