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IBM突破性研究：超越铜互连，引领未来CMOS节点

2024-12-16

IBM的研究人员在2024年IEDM大会上发表了两篇关于后端互连技术的论文，展示了其在先进互连技术方面的最新突破。第一篇论文探讨了铜互连技术的改进和未来方向，第二篇论文（与三星合作）则介绍了一种新型的超越铜的互连技术，该技术利用先进低介电常数材料（ALK）和铑（Rh）技术，显著提高了性能和可靠性，降低了电阻和电容，并解决了传统铜互连技术在24nm及以下节点面临的可靠性问题。这项研究为未来CMOS节点的芯片制造铺平了道路，并为高性能低功耗逻辑集成电路的持续发展提供了关键技术支持。

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(research.ibm.com)
硬件 芯片互连 后端互连

国家EUV加速器落户奥尔巴尼

2024-10-31

美国商务部宣布，纽约州立大学纳米技术综合中心（Albany NanoTech Complex）将设立国家半导体技术中心（NSTC）EUV加速器。IBM是该中心的 主要合作伙伴。该加速器将有助于确保北美在尖端半导体研究、开发和制造方面的领先地位。EUV光刻技术是半导体供应链的关键组成部分，IBM在该领域取得了多项突破。新的EUV加速器将设在Albany NanoTech Complex，IBM几十年来一直是该中心的主要租户，并在那里取得了许多半导体研究的重大突破。该中心目前正在建设一个新的研发制造设施，以容纳北美首台公私合作的高数值孔径（High NA）EUV机器。

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(research.ibm.com)
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