Chinesischer Durchbruch: Weltweit erster 2D-GAAFET-Transistor mit geringem Stromverbrauch

Ein Forschungsteam der Peking-Universität veröffentlichte in Nature die Ankündigung des weltweit ersten zweidimensionalen GAAFET-Transistors mit geringem Stromverbrauch. Dieser Transistor, basierend auf dem neuartigen 2D-Halbleitermaterial Bi₂O₂Se, übertrifft vergleichbare Produkte von Intel, TSMC und Samsung. Dieser Durchbruch könnte China helfen, in der Chipindustrie einen Sprung nach vorn zu machen, insbesondere vor dem Hintergrund der technologischen Sanktionen der USA gegen China.