Fudan-Universität erzielt Durchbruch: 400-Pikosekunden-Flashspeicher
2025-04-20
Forscher der Fudan-Universität haben einen bahnbrechenden 400-Pikosekunden-Flashspeicher entwickelt, mit einer beispiellosen Programmiergeschwindigkeit von 25 Milliarden Mal pro Sekunde. Dieser technologische Durchbruch übertrifft die bestehenden Geschwindigkeitsgrenzen bei der Informationsspeicherung, indem er die zweidimensionale Dirac-Bandstruktur und die ballistischen Transporteigenschaften für die Superinjektion von Ladung nutzt. Es wird erwartet, dass diese Innovation bedeutende Anwendungen in ultraschnellen KI-Modellen findet, Upgrades der Speichertechnologie vorantreibt und Chinas Führungsrolle in diesem Bereich stärkt.