Auswirkungen extrem niedriger Temperaturen auf die Größe und Leistung des 5-nm-SRAM-Arrays

Eine neue Studie untersucht die Auswirkungen extrem niedriger Temperaturen (bis zu 10 K) auf die Größe und Leistung von 5-nm-FinFET-SRAM-Arrays. Die Forscher fanden heraus, dass bei kryogenen Temperaturen die maximale Array-Größe durch Wortleiter-Parasiten, nicht durch Leckströme, begrenzt ist und die Leistung durch Bitleiter- und Wortleiter-Parasiten bestimmt wird. Dies hat erhebliche Auswirkungen auf zukünftige energieeffiziente Hochleistungsrechner und bietet wertvolle Erkenntnisse für die Optimierung von SRAM-Arrays in extrem kalten Umgebungen.