Verbesserter Spin-Bahn-Drehmoment durch Orbital-Hall-Effekt für hochdichte SOT-MRAM

Forscher haben die Leistung von Spin-Bahn-Drehmoment (SOT)-Magnetischen Zufallszugriffsspeichern (MRAM) deutlich verbessert, indem sie den verbesserten Orbital-Hall-Effekt (OHE) von Ru-, Nb- und Cr-Schichten in Kombination mit einer senkrecht magnetisierten [Co/Ni]3-ferromagnetischen Schicht nutzten. Experimente zeigten eine Erhöhung der Dämpfungsglied-Drehmomenteffizienz um etwa 30 % mit positivem Vorzeichen für die Ru/Pt-OHE-Schicht im Vergleich zu reinem Pt. Dies führte zu einer Reduktion des Schaltstroms um etwa 20 % bei über 250 Geräten und einer Reduktion der Schaltstromleistung um über 60 %. Diese Arbeit ebnet den Weg für SOT-MRAM-Geräte der nächsten Generation mit verbesserter Leistung für Hochdichte-Cache-Speicheranwendungen.